تهدف الرسالة الى تحسين خواص ترانزستور تأثير المجال المصنع من الاوكسيد المعدني شبه الموصل كمكبر للإشارة باستخدام الشبكات العصبية الاصطناعية، والتخلص من المشاكل التي تواجه الترانزستور منها تأثير المتسعات الداخلية ( Cgd،Cgs ) للمكبر على التكبير في الترددات العالية وبالتالي تحسين أداء دوائره وزيادة عرض الحزمة (B.W.  ) ، كذلك دراسة إمكانية تحسين خصائص ترانزستور (MOSFET ) كمكبر ضمن حزمة ترددات وفولتية إدخال محددة الى مديات واسعة من الترددات وفولتية إدخال أعلى .

خلصت الرسالة الى ان تطوير شبكة عصبية اصطناعية لمحاكاة ترانزستور (MOSFET ) بنوعي قناته السالبة والموجبة ذي الرقم (M2N7002 ZTX    ) والرقم ( ZTX/BSS84 ) بحيث انه يعمل على مدى واسع من الترددات وفولتية الإدخال .

يذكر أن كلية الهندسة في جامعة واسط قد خصصت للطالبة مشرف ثاني بالتنسيق مع جامعة الموصل ووزارة التعليم العالي لإكمال إجراءات المناقشة وتسمية الخبير العلمي وتشكيل لجنة المناقشة.